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熱油試驗(yàn)箱高溫電子設(shè)備對(duì)設(shè)計(jì)和可靠性的影響

發(fā)布時(shí)間: 2019-09-02  點(diǎn)擊次數(shù): 1445次

熱油試驗(yàn)箱 技術(shù)參數(shù):

型號(hào)

SE-EN6033

SE-EN5033

工作室容積(L )

2.6

 4.5

試料和尺寸(cm)

1.2×1.2×1.8

 1.5×1.5×2

液槽內(nèi)尺寸(cm)

195×108×155

260×128×195

高溫液槽溫度范圍

+70℃~+300℃

低溫液槽溫度范圍

-80℃~0℃

液態(tài)沖擊溫度

-65℃~0℃/+70℃+280℃

液槽轉(zhuǎn)換時(shí)間

≤10s

控制點(diǎn)溫度恢復(fù)時(shí)間

≤5min

溫度波動(dòng)度

±0.5℃~±1.0

溫度均勻度

±0.5℃~±2.0

溫度偏差

±0.5℃~±2.0

工作方式

自動(dòng)機(jī)械懸架上下左右移動(dòng)至高低溫液槽

外殼材料

電解板噴粉

內(nèi)膽材料

SUS316

保溫材料

聚胺脂泡沫

制冷機(jī)組

 半封閉制冷機(jī)組

冷卻方式

水冷

安全裝置

超溫保護(hù)  壓縮機(jī)缺油/超壓/超載保護(hù)  風(fēng)機(jī)超載保護(hù)  電源故障保護(hù)  加熱器短路保護(hù)

選配件

遠(yuǎn)程監(jiān)控計(jì)算機(jī)及軟件  打印機(jī)  增加的擱板  特殊的試樣架

液態(tài)沖擊試驗(yàn)箱執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

GJB 150-86 GB 2423-22 MIL-STD-883 MIL-STD-202F

許多行業(yè)都需要能夠在高溫等惡劣環(huán)境下可靠工作的電子設(shè)備。依照傳統(tǒng)做法,在設(shè)計(jì)需要在常溫范圍之外工作的電子設(shè)備時(shí),工程師必須采用主動(dòng)或被動(dòng)冷卻技術(shù),但某些應(yīng)用可能無(wú)法進(jìn)行冷卻,或是電子設(shè)備在高溫下工作時(shí)更為有利,可提升系統(tǒng)可靠性或降低成本。這便提出了影響電子系統(tǒng)方方面面的諸多挑戰(zhàn),包括硅、封裝、認(rèn)證方法和設(shè)計(jì)技術(shù)。
 
高溫應(yīng)用

古老以及目前大的高溫電子設(shè)備(>150°C)應(yīng)用領(lǐng)域是地下石油和天然氣行業(yè)。在該應(yīng)用中,工作溫度和地下井深成函數(shù)關(guān)系。地?zé)崽荻纫话銥?5°C/km深度,某些地區(qū)更大。
過(guò)去,鉆探作業(yè)
Highest在150°C至175°C的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行,然而,由于地下易鉆探自然資源儲(chǔ)備的減少和技術(shù)進(jìn)步,行業(yè)的鉆探深度開(kāi)始加深,同時(shí)也開(kāi)始在地?zé)崽荻容^高的地區(qū)進(jìn)行鉆探。這些惡劣的地下井溫度超過(guò)200°C,壓力超過(guò)25 kpsi。主動(dòng)冷卻技術(shù)在這種惡劣環(huán)境下不太現(xiàn)實(shí),被動(dòng)冷卻技術(shù)在發(fā)熱不限于電子設(shè)備時(shí)也不太有效。

地下鉆探行業(yè)中高溫電子設(shè)備的應(yīng)用十分復(fù)雜。首先,在鉆探作業(yè)過(guò)程中,電子設(shè)備和傳感器會(huì)引導(dǎo)鉆探設(shè)備并監(jiān)控其狀態(tài)是否正常。隨著定向鉆探技術(shù)的出現(xiàn),高溫地質(zhì)導(dǎo)向儀器必須將鉆孔位置引導(dǎo)至地質(zhì)目標(biāo)。

鉆孔時(shí)或鉆孔剛結(jié)束時(shí),精密的井下儀器會(huì)收集周圍的地質(zhì)構(gòu)造數(shù)據(jù)。這種做法稱為測(cè)井可以測(cè)量電阻率、放射性、聲音傳播時(shí)間、磁共振和其他屬性,以便確定地質(zhì)構(gòu)造特性,如巖性、孔隙度、滲透率,以及水/烴飽和度。通過(guò)這些數(shù)據(jù),地質(zhì)學(xué)家可以從構(gòu)造上對(duì)巖石類型進(jìn)行判斷,還可以判斷存在的流體類型及其位置,以及含流體區(qū)域能否提取出足夠數(shù)量的碳?xì)浠衔铩?/span>

后,在完成和生產(chǎn)階段,電子系統(tǒng)會(huì)監(jiān)控壓力、溫度、振動(dòng)和多相位流動(dòng),并主動(dòng)控制閥門(mén)。要滿足這些需求,需要有一個(gè)完整的高性能組件信號(hào)鏈。系統(tǒng)可靠性是重要的因素,因?yàn)樵O(shè)備故障會(huì)造成*的停機(jī)成本。在地下數(shù)英里作業(yè)的鉆柱如果出現(xiàn)電子組件故障,需要一天以上的時(shí)間來(lái)檢修及更換,操作復(fù)雜深水海上鉆井平臺(tái)每天大約需要花費(fèi)100萬(wàn)美元!
其他應(yīng)用領(lǐng)域:除了石油和天然氣行業(yè)外,航空電子等其他應(yīng)用對(duì)高溫電子器件的需求也日漸增多。如今,航空業(yè)正日益向“多電子飛機(jī)”(MEA)的趨勢(shì)發(fā)展。這一方案一方面是為了用分布式控制系統(tǒng)取代傳統(tǒng)集中式發(fā)動(dòng)機(jī)控制器。1集中式控制需要采用由數(shù)百個(gè)導(dǎo)體和多個(gè)連接器接口組成的龐大重型線束。分布式控制方案則將發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)放置在離發(fā)動(dòng)機(jī)較近的地方,將互連的復(fù)雜性降低了10倍,使飛機(jī)的重量減輕了數(shù)百磅,2同時(shí)增加了系統(tǒng)可靠性(估計(jì)值在某種程度上與連接器引腳數(shù)成函數(shù)關(guān)系(根據(jù)MIL-HDBK-217F計(jì)算)。
但是,代價(jià)是發(fā)動(dòng)機(jī)附近的環(huán)境溫度會(huì)上升(–55°C至+200°C)。雖然該應(yīng)用中電子設(shè)備可以進(jìn)行冷卻,但依然會(huì)產(chǎn)生不利影響,原因有二:首先,冷卻會(huì)增加飛機(jī)的成本和重量,其次(也是重要的一點(diǎn)),冷卻系統(tǒng)故障會(huì)導(dǎo)致控制關(guān)鍵系統(tǒng)的電子設(shè)備出現(xiàn)故障。

MEA方案另一方面是要用電力電子和電子控制取代液壓系統(tǒng),以提升可靠性,減少維護(hù)成本。理想狀態(tài)下,控制電子設(shè)備必須離執(zhí)行器很近,這也會(huì)產(chǎn)生較高的環(huán)境溫度。

汽車業(yè)提供了采用高溫電子設(shè)備的另一種新興應(yīng)用。和航空電子一樣,汽車業(yè)也在從純機(jī)械和液壓系統(tǒng)向機(jī)電一體化系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。4這就需要有離熱源更近的定位傳感器、信號(hào)調(diào)理,以及控制電子設(shè)備。

Highest溫度和暴露時(shí)間依車輛類型和車輛中電子器件的位置而定。例如,高集成的電氣和機(jī)械系統(tǒng)(如變速箱配置和變速箱控制器),可以簡(jiǎn)化汽車子系統(tǒng)的生產(chǎn)、測(cè)試和維護(hù)過(guò)程。5電氣車輛和混合電動(dòng)車需要高能量密度的電子設(shè)備,用作轉(zhuǎn)換器,電機(jī)控制,充電電路這些和高溫相關(guān)的部分。

 使用超出數(shù)據(jù)手冊(cè)溫度規(guī)格的IC

過(guò)去,由于無(wú)法獲得高溫IC,石油和天然氣等行業(yè)的高溫電子設(shè)備設(shè)計(jì)師只能使用遠(yuǎn)高于額定規(guī)格的標(biāo)準(zhǔn)溫度器件。有些標(biāo)準(zhǔn)溫度的IC確實(shí)能在高溫下工作,但是使用起來(lái)非常困難,并且十分危險(xiǎn)。例如,工程師必須確定可能選用的器件,充分測(cè)試并描述其溫度性能,并驗(yàn)證其長(zhǎng)期可靠性。器件的性能和壽命經(jīng)常會(huì)大幅遞減。

這一過(guò)程充滿挑戰(zhàn)且昂貴耗時(shí):
器件驗(yàn)證需要用高溫印刷電路板(PCB)和設(shè)備在實(shí)驗(yàn)室烤箱中進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試時(shí)間至少應(yīng)達(dá)到任務(wù)剖面所需的時(shí)間。由于可能面臨新的故障機(jī)制,測(cè)試速度很難加快。測(cè)試過(guò)程中如出現(xiàn)故障,需要再次選擇器件并經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期測(cè)試,從而延長(zhǎng)項(xiàng)目時(shí)間。
數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格之外的工作情況無(wú)法獲得保證,性能可能隨器件批次而變化。具體而言,IC工藝變化會(huì)在溫度時(shí)導(dǎo)致意外故障。
 
針對(duì)高溫設(shè)計(jì)并通過(guò)認(rèn)證的IC

幸運(yùn)的是,憑借近的IC技術(shù),能夠保證以數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)格在高溫下可靠工作的器件已經(jīng)問(wèn)世。工藝技術(shù)、電路設(shè)計(jì)和布局技術(shù)均有所發(fā)展。

要想在高溫條件下順利工作,必須能夠同時(shí)管理多個(gè)關(guān)鍵器件特性。其中一項(xiàng)重要也是為人熟知的挑戰(zhàn)是因?yàn)橐r底漏電流上升而產(chǎn)生。其他因素包括載流子遷移率, 下降、VT, β, 和 VSAT, 等器件參數(shù)變化、金屬互連電子遷移增加,以及電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度下降。6雖然標(biāo)準(zhǔn)硅可以在125°C以上的軍用溫度要求下正常工作,7但每上升10°C,標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中的泄露就會(huì)增加一倍,許多精密應(yīng)用都不能接受這一情況。

溝道隔離、絕緣硅片 (SOI)和標(biāo)準(zhǔn)硅工藝中的其他變化都會(huì)大大降低泄露,使高性能工作溫度遠(yuǎn)高于200°C。圖5所示為SOI雙極性工藝減少泄露區(qū)域的過(guò)程。碳化硅(SiC)之類的寬帶隙材料會(huì)使性能進(jìn)一步提升,實(shí)驗(yàn)室研究顯示,碳化硅IC可在高達(dá)600°C下工作。但是,SiC是一種新型的工藝技術(shù),目前市場(chǎng)上只有功率開(kāi)關(guān)之類的簡(jiǎn)單器件。
儀表放大器:用于地下鉆探的儀表放大器需要具備高精度,以便放大常見(jiàn)噪聲環(huán)境中的微弱信號(hào)。這種放大器通常是測(cè)量前端的個(gè)器件,因此,其性能對(duì)整個(gè)信號(hào)鏈的信能至關(guān)重要。

ADI公司開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)從一開(kāi)始就選定AD8229儀表放大器用于高溫工作環(huán)境,且始終針對(duì)這一目的進(jìn)行設(shè)計(jì)。為了滿足其*的性能要求,還選用了專有的SOI雙極性工藝技術(shù)。設(shè)計(jì)人員采用了特殊電路技術(shù),以保證能夠在各種器件參數(shù)下工作,例如基極-發(fā)射極電壓和正向電流增益。

IC布局也會(huì)顯著影響AD8229的性能和可靠性。為了在整個(gè)溫度范圍內(nèi)維持低失調(diào)和高共模抑制比(CMRR),布局應(yīng)補(bǔ)償互連和溫度系數(shù)的變化。此外,仔細(xì)分析關(guān)鍵部分的電流密度可以降低電子遷移的影響,并提升條件下的可靠性。同樣,設(shè)計(jì)人員還會(huì)預(yù)測(cè)故障條件,以防止過(guò)早擊穿。

憑借魯棒的工藝、電路設(shè)計(jì)和布局技術(shù),器件可以滿足整個(gè)溫度范圍內(nèi)嚴(yán)苛的精度和可靠性要求。
 
封裝考慮因素

高溫功能化硅的采用只相當(dāng)于完成了一半的工作。在高溫下進(jìn)行芯片封裝并將其連接至PCB絕非易事。高溫時(shí)許多因素都會(huì)影響封裝完整性。
芯片粘著 材料可以確保將硅連接至封裝或基板。許多在標(biāo)準(zhǔn)溫度范圍能夠穩(wěn)定使用的材料都具有較低的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(TG),不適合在高溫下工作。對(duì)芯片、芯片粘著材料和基板的熱膨脹系數(shù)(CTE)進(jìn)行匹配時(shí)需要特別注意,以防止芯片在寬溫度范圍內(nèi)反復(fù)工作時(shí)受到應(yīng)力或斷裂。芯片上即便受到少量的機(jī)械應(yīng)力,也可能會(huì)導(dǎo)致電氣參數(shù)發(fā)生變化,達(dá)到精密應(yīng)用不可接受的水平。對(duì)于需要采用熱連接和電氣連接連接至封裝基板的功率器件,可能需要使用金屬芯片粘著材料。

線焊是芯片和引腳互連的一種方法,這種方法是在芯片表面上從引腳架構(gòu)至焊盤(pán)用金屬線連接。對(duì)高溫下的線焊可靠性而言,線所用金屬與焊盤(pán)金屬化層的兼容性是一大問(wèn)題。由于焊接金屬兼容性差產(chǎn)生的故障有兩方面,一方面是邊界接口的金屬間化合物 (IMC)生長(zhǎng),這會(huì)導(dǎo)致焊接易碎;另一方面是擴(kuò)散(柯肯達(dá)爾效應(yīng)),這會(huì)在接口處產(chǎn)生空洞,減小焊接強(qiáng)度并增加其電阻。遺憾的是,業(yè)界常見(jiàn)的金屬組合之一(金線和鋁焊盤(pán)金屬化層)在高溫時(shí)就容易產(chǎn)生上述現(xiàn)象。
高溫焊接失敗后出現(xiàn)了明顯的金/鋁金屬間化合物生長(zhǎng)和柯肯達(dá)爾空洞。更糟的是,溴和氯等鹵素(時(shí)見(jiàn)于塑封材料)在高溫時(shí)也會(huì)引起邊界接口腐蝕,加速焊接失?。ㄐ叶鴺I(yè)界已轉(zhuǎn)用“綠色”無(wú)鹵素塑封材料)。因此,焊線和焊盤(pán)
Best采用相同金屬(單金屬焊接),以避免上述不良影響。如果不能采用相同金屬,工程師應(yīng)當(dāng)選擇IMC生長(zhǎng)和擴(kuò)散率足夠慢的金屬,以保證在所需的壽命內(nèi)可靠使用。
IC封裝也必須能夠承受惡劣環(huán)境下施加的應(yīng)力。塑料封裝盡管達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),但傳統(tǒng)上只能在150°C的額定溫度下持續(xù)使用。隨著近期高溫應(yīng)用日益受到關(guān)注,研究表明,這一額定溫度可增至175°C,但只能持續(xù)較短時(shí)間。從封裝結(jié)構(gòu)來(lái)看,175°C是某些材料(如塑封材料)超過(guò)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的溫度點(diǎn)。在TG以上溫度工作會(huì)使關(guān)鍵參數(shù)(如CTE和彎曲模量)產(chǎn)生顯著機(jī)械變化,并因熱應(yīng)變引起分層及開(kāi)裂等焊接失敗現(xiàn)象。

因此,高溫應(yīng)用時(shí)Best選用密封陶瓷封裝。密封可以防止導(dǎo)致腐蝕的濕氣和污染進(jìn)入。遺憾的是,密封封裝通常較大較重,且價(jià)格比同類塑料封裝貴得多。在溫度要求(< 175°C)較少的應(yīng)用中,Best采用塑料封裝,可以減少PCB面積、降低成本,或是提供更好的振動(dòng)順應(yīng)性。對(duì)需要采用密封封裝和高器件密度的系統(tǒng)而言,高溫多芯片模塊是一種比較合理的解決方案。然而,這種方案需要提供已知合格芯片。
封裝引腳配置和金屬化情況也必須加以評(píng)估。表面貼裝器件質(zhì)量?jī)H取決于焊盤(pán)面積以及銅層和預(yù)浸材料之間的粘結(jié)質(zhì)量。另一方面,通孔DIP配置(業(yè)界可靠的封裝之一)也可提供魯棒的沖擊和振動(dòng)性能。情況下,要想進(jìn)一步提升連接強(qiáng)度,還可以彎曲電路板底側(cè)引腳,并將其“釘”在PCB上,但是,通孔引腳排列不允許電路板低側(cè)的組件密集分布,這可能是空間限制嚴(yán)格的井下儀器等應(yīng)用面臨的一大問(wèn)題。

許多情況下,鷗翼SMT引腳配置是一種可行的替代方法,但是,無(wú)引腳SMT在許多高溫環(huán)境下面臨高沖擊和振動(dòng)時(shí)不夠魯棒。采用SMT器件時(shí),設(shè)計(jì)人員應(yīng)當(dāng)考慮其高度和質(zhì)量。采用高溫環(huán)氧樹(shù)脂可以提高連接魯棒性,但是會(huì)增加制造成本,加大維修難度。在所有情況下,引腳金屬化層都必須兼容高溫焊料。

常見(jiàn)的標(biāo)準(zhǔn)焊料合金熔點(diǎn)低于200°C。但是,有一些現(xiàn)成的合金可以列入“高熔點(diǎn)”(HMP)合金,其熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于250°C。即便在這些情況下,對(duì)任何受應(yīng)力影響的焊料而言,其Highest推薦工作溫度也比其熔點(diǎn)低40°C左右。例如,標(biāo)準(zhǔn)HMP焊料合金由5%的錫、93.5%的鉛和1.5%的銀組成,熔點(diǎn)為294°C,但其推薦工作溫度僅為255°C。9注意,BGA(球柵數(shù)組)封裝有工廠粘結(jié)的焊料球,熔點(diǎn)可能不會(huì)太高。

后,PCB本身也可能是焊接失敗的原因。標(biāo)準(zhǔn)FR4材料在130°C至180°C時(shí)可在任意位置發(fā)生玻璃化轉(zhuǎn)變,依具體成分而定。如果在該溫度以上使用(即使時(shí)間較短),也會(huì)出現(xiàn)擴(kuò)散和分層。聚酰亞胺是一種可靠的替代材料(Kapton中就采用了這種材料),其TG高達(dá)250°C,具體依成分而定。但是,聚酰亞胺的吸濕性*,可能會(huì)使PCB由于各種機(jī)制迅速出現(xiàn)故障,因此,控制其在濕氣中的暴露至關(guān)重要。近些年來(lái),業(yè)界引進(jìn)了吸濕性較小且能在高溫時(shí)保持完整的新型層壓材料。
 
驗(yàn)證、認(rèn)證與測(cè)試

在實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證高溫器件并非易事,因?yàn)楣こ處熜枰C合上述各項(xiàng)技術(shù)才能在溫度下測(cè)試器件性能。除了在建造測(cè)試夾具時(shí)采用特殊材料外,測(cè)試工程師還必須謹(jǐn)慎操作環(huán)境試驗(yàn)箱,使系統(tǒng)調(diào)整至所需的溫度變化。由于膨脹系數(shù)不匹配,快速溫度變化會(huì)對(duì)PCB板上的焊點(diǎn)造成損害,產(chǎn)生翹曲變形,并終使系統(tǒng)過(guò)早出現(xiàn)故障。業(yè)界采用的原則是將溫度變化率保持在每分鐘3°C以下。
為了加快壽命與可靠性測(cè)試過(guò)程,在高溫下測(cè)試電子器件是一種可以接受的方法。這里需要引入一個(gè)加速系數(shù)α,根據(jù)Arrhenius方程計(jì)算:
其中Ea為激活能,k為玻爾茲曼常數(shù),Ta為使用時(shí)的預(yù)期工作溫度,Ts為應(yīng)力溫度。雖然加速老化問(wèn)題對(duì)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品影響不大,但是,應(yīng)力溫度遠(yuǎn)高于額定溫度可能會(huì)引起新的故障機(jī)制,并導(dǎo)致結(jié)果不準(zhǔn)確。因此,為保證AD8229等高溫器件的終身可靠性,需要在210°C的
Highest額定溫度下進(jìn)行為期1000小時(shí)(大約六周)的高溫工作壽命 測(cè)試(HTOL)。在低溫情況下,預(yù)期壽命可以采用的加速度關(guān)系進(jìn)行預(yù)測(cè)。
塑料封裝只在不超過(guò)約175°C時(shí)保持魯棒,且工作壽命減少。在這一溫度限值附近,如果不進(jìn)行昂貴耗時(shí)的實(shí)驗(yàn)室故障分析,很難區(qū)分故障是因封裝還是硅材料引起的。陶瓷封裝的標(biāo)準(zhǔn)器件供貨較為稀缺。
惡劣環(huán)境下使用的器件通常不僅要能承受高溫,還要能承受沖擊和振動(dòng)。許多工程師都喜歡采用帶引腳的封裝(如DIP或鷗翼SMT),因?yàn)檫@些封裝可以為PCB提供更加魯棒的安裝。由于其他行業(yè)傾向于小型無(wú)引腳封裝,會(huì)進(jìn)一步限制器件的選擇。

Best采用裸片形式的器件,尤其是在器件只提供塑料封裝的情況下。然后,芯片可以采用符合高溫的密封封裝或多芯片模式重新封裝。但是,能夠在高溫下工作的器件原本就不多,能夠通過(guò)測(cè)試的芯片就更少。
由于時(shí)間和測(cè)試設(shè)備限制,業(yè)界工程師可能傾向于將器件的條件限制在特定的應(yīng)用電路中,而不是涵蓋所有的關(guān)鍵器件參數(shù),使器件難以不經(jīng)進(jìn)一步測(cè)試便重新用于其它項(xiàng)目。
數(shù)據(jù)手冊(cè)未列出的關(guān)鍵IC屬性(如金屬互連的電子遷移)可能在高溫時(shí)引起故障。

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